[19a-C8-1~12] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[19a-C8-11] Drain Induced Barrier Lowering (DIBL)のドレイン電圧依存性の解析

^○長尾光晋，水谷朋子，平本俊郎 (東大生研)

キーワード：ばらつき