[19a-C8-1~12] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[19a-C8-12] SRAMセル安定性指標パラメータの検討：ノイズマージンかVminか?

^○アニール クマール¹，更屋拓哉¹，宮野信治²，平本俊郎¹ (東大生研¹，STARC²)

キーワード：SRAM,ばらつき