[19a-C8-1~12] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[19a-C8-6] FinFETの電流立ち上がり電圧ばらつきの解析：金属ゲート仕事関数ばらつきの影響

^○松川貴，柳永勛，塚田順一，遠藤和彦，山内洋美，石川由紀，大内真一，水林亘，太田裕之，右田真司，森田行則，昌原明植 (産総研ナノエレ部門)

キーワード：FinFET,特性ばらつき,非晶質金属