[19a-P4-1~2] 13.1 基礎物性・評価

[19a-P4-1] STEM-EBIC法によるSiデバイスの実用的な空乏層可視化技術実現

^○田中洋毅¹，石川貴之¹，花田和弘²，三里朗²，富田充裕¹ (東芝研究開発センター¹，東芝S&S社²)

キーワード：EBIC,STEM,depletion