[19a-P5-1~14] 13.5 Siプロセス技術

[19a-P5-11] n型不純物およびSがpoly-Ge中キャリア濃度に与える影響

^○小池正浩，上牟田雄一，鎌田善己，黒澤悦男，手塚勉 (産総研GNC)

キーワード：半導体,ゲルマニウム,poly-Ge