[19a-P7-1~14] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19a-P7-13] ALD-Al₂O₃ 絶縁体層を有するInAlN MOS ダイオードの作製手順の検討

^○千葉勝仁，中野拓真，赤澤正道 (北大量集センター)

キーワード：InAlN,MOS,界面