[19a-P8-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[19a-P8-3] 近接二層積層によるGaAs基板上InAs-QDの発光長波長化の検討(III)

^○（M2）中谷擁平¹，尾崎信彦¹，大河内俊介²，池田直樹³，杉本喜正³，Edmund Clarke⁴，Richard Hogg⁴ (和歌山大シス工¹，NEC²，物材機構³，シェフィールド大⁴)

キーワード：MBE,InAs量子ドット,bi-layer