16:45 〜 17:00
△ [19p-B4-13] SAB法によるSi/Si接合特性におけるArプラズマ照射効果
キーワード:SAB,表面活性化ボンディング,suraface acitivated bonding
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.5 Siプロセス技術
2013年9月19日(木) 13:30 〜 19:00 B4 (TC2 1F-106)
16:45 〜 17:00
キーワード:SAB,表面活性化ボンディング,suraface acitivated bonding