14:15 〜 14:30
▲ [19p-B4-4] Comparison of crystalline quality of SPC Si films grown on YSZ layers with that on glass substrates in pulse laser annealing
キーワード:silicon,laser,crystallization
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.5 Siプロセス技術
2013年9月19日(木) 13:30 〜 19:00 B4 (TC2 1F-106)
14:15 〜 14:30
キーワード:silicon,laser,crystallization