[19p-B5-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-B5-17] 深紫外LED用結合ピラーAlNバッファーの改善

^○（M1）豊田史朗^1,2，水澤克哉^1,2，鎌田憲彦²，平山秀樹¹ (理研¹，埼玉大²)

キーワード：AlN,MOCVD,半導体