2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-B5-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年9月19日(木) 13:00 〜 19:15 B5 (TC2 2F-201)

14:45 〜 15:00

[19p-B5-7] Si基板上窒化物半導体成長に向けたCOガスを用いたSi表面炭化によるSiCバッファ層形成

○(PC)出浦桃子,福山博之 (東北大多元研)

キーワード:炭化,SI,COガス