[19p-B5-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-B5-7] Si基板上窒化物半導体成長に向けたCOガスを用いたSi表面炭化によるSiCバッファ層形成

^○（PC）出浦桃子，福山博之 (東北大多元研)

キーワード：炭化,SI,COガス