[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

△ [19p-C8-2] Si/SiGe系MOS構造量子ポイントコンタクトの特性評価

^○神岡純¹，小寺哲夫^1,2,3，武田健太⁴，小幡利顕⁴，Waseem. M. Akhtar⁴，樽茶清悟^2,4,5，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³，東大工⁴，理化学研究所⁵)

キーワード：量子ポイントコンタクト,シリコンゲルマニウム