[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[19p-C8-7] 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける少数電子系の結合容量の評価

^○（M2）内田貴史¹，吉岡勇¹，有田正志¹，藤原聡²，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，NTT物性基礎研²)

キーワード：二重量子ドット,単電子トランジスタ,シリコン