[19p-D3-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[19p-D3-4] CBE法で作製したGaAsN中の正孔捕獲準位を介した再結合過程の解析

^○幸脇広幸，ブザジ ブサイリ，池田和磨，小島信晃，大下祥雄，山口真史 (豊田工業大)

キーワード：再結合中心