[20a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-B5-3] AlGaNナノテンプレートによるInGaN系規則配列ナノコラム選択成長

^○山野晃司¹，岸野克巳^1,2，関口寛人³，若原昭浩³ (上智大理工¹，上智大ナノテク研究センター²，豊橋技大工³)

キーワード：ナノコラム,InGaN,窒化物