[20a-C8-1~12] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[20a-C8-8] TiNメタルゲートとポリシリコンゲートを用いたチャージトラップ型FinFETフラッシュメモリ電気特性の比較評価

^○柳永勛，松川貴，遠藤和彦，大内真一，塚田順一，山内洋美，石川由紀，水林亘，森田行則，右田真司，太田裕之，昌原明植 (産総研)

キーワード：フラッシュメモリ