2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・評価

[20a-C9-1~12] 13.1 基礎物性・評価

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:15 C9 (TC3 2F-202)

12:00 〜 12:15

[20a-C9-12] 液浸ラマン分光法による高Ge濃度圧縮歪SiGeメサ構造/Ge基板からのLO,TOフォノンスペクトルの観測

小瀬村大亮1,富田基裕1,3,臼田宏治2,手塚勉2,小椋厚志1 (明治大理工1,産総研GNC2,学振特別研究員DC3)

キーワード:SiGe,異方性応力,液浸ラマン