[20a-C9-1~12] 13.1 基礎物性・評価

[20a-C9-3] バイアス印加が一次元連結Si系量子ドットのPL特性に及ぼす影響

^○（M2）鈴木善久¹，牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹ (名大院工¹，広大院先端研²)

キーワード：photoluminescence,Si quantom dot