[20a-D7-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-D7-10] TiN電極を有するマイクロ波整流用GaNショットキーバリアダイオード

^○（M1C）板井勇樹¹，岸明徳¹，李柳暗¹，白石孝之¹，福居和人¹，劉強¹，敖金平¹，大野泰夫² (徳島大院 STS研¹，eデバイス²)

キーワード：GaN Schottky Barrier Diode,TiN,マイクロ波整流