[20a-D7-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-D7-6] GaN系MOS-HEMTにおけるMOS界面準位評価と電気特性への影響

^○堀祐臣¹，谷田部然治¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター¹，JST-CREST²)

キーワード：GaN,MOS,界面