2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.5 Siプロセス技術

[20p-B4-1~8] 13.5 Siプロセス技術

2013年9月20日(金) 13:00 〜 15:00 B4 (TC2 1F-106)

13:45 〜 14:00

[20p-B4-4] Krガスを用いた積層シリサイド化スパッタプロセスにより形成したNiSi2の薄膜評価

今村浩章1,稲村太一1,角嶋邦之2,片岡好則2,西山彰2,杉井信之2,若林整2,筒井一生2,名取研二1,岩井洋1 (東工大フロンティア研1,東工大総理工2)

キーワード:積層シリサイド,Kr,シート抵抗