2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.6 Siデバイス／集積化技術

[20p-C8-1~5] 13.6 Siデバイス／集積化技術

2013年9月20日(金) 13:15 〜 14:30 C8 (TC3 2F-201)

14:15 〜 14:30

▲ [20p-C8-5] Observation of Individual Dopants in the Electrical Characteristics of Nanoscale pn Junctions

○（D）Sri Purwiyanti1,2，ダニエル モラル1，水野武志1，ジョコ ハルタント2，田部道晴1 (静大1，UI2)

キーワード：individual dopant,nano pn junction,RTS