[20p-D3-1~6] 15.7 エピタキシーの基礎

[20p-D3-3] InN/GaNヘテロ構造形成過程でのIII族元素の原子配置に関する理論的研究

^○伊藤綾子，秋山亨，中村浩次，伊藤智徳 (三重大院工)

キーワード：InN/GaN,半導体