[20p-D6-1~8] 14.1 探索的材料物性

△ [20p-D6-7] SiCにおけるバンドギャップ変化の微視的メカニズムの解明: 内包空間を浮遊する特異な電子状態の発見

^○松下雄一郎^1,2，押山淳¹ (東大院工¹，マックス-プランク研究所²)

キーワード：SiC,多形,バンドギャップ