2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.1 探索的材料物性

[20p-D6-1~8] 14.1 探索的材料物性

2013年9月20日(金) 13:00 〜 15:00 D6 (MK 3F-301)

14:45 〜 15:00

[20p-D6-8] 二酸化ハフニウムを用いた抵抗変化メモリの電気伝導特性に関する第一原理計算

宮崎剛英1,中村恒夫1,西尾憲吾1,島久2,秋永広幸2,浅井美博1 (産総研ナノシステム1,産総研ナノエレ2)

キーワード:第一原理,抵抗変化