[20p-D7-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20p-D7-8] 自立GaN基板上の自己整合型イオン注入ノーマリーオフ型MISFET

^○（M2）小川弘貴¹，葛西駿¹，金田直樹³，土屋朋信²，三島友義³，中村徹¹ (法政大理工¹，日立中研²，日立電線³)

キーワード：イオン注入