一般セッション(口頭講演)

[28a-G4-1~11] 14.5 化合物太陽電池

2013年3月28日(木) 09:00 〜 12:00 G4 (B5号館 1F-2104)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[28a-G4-1] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
SnS薄膜太陽電池における光吸収層とバッファ層の検討 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○河野悠，峯元高志 (立命大理工)

[28a-G4-2] Cu₂SnS₃薄膜の発光スペクトル (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○後藤祐輔¹，田中久仁彦¹，打木久雄¹，粟飯原直也²，荒木秀明^2,3 (長岡技大¹，長岡高専²，JST さきがけ³)

[28a-G4-3] Cu₂SnS₃薄膜太陽電池における硫化温度依存性 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○荒木秀明^1,2，粟飯原直也¹，豊永詞¹，金井綾香¹，木村和貴¹，山田愛美¹，神保和夫¹，片桐裕則¹ (長岡高専¹，JSTさきがけ²)

[28a-G4-4] △n型ZnSを用いたZnTe太陽電池の作製 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○宮原雅宜¹，原口真¹，田中徹^1,2，斉藤勝彦¹，郭其新¹，西尾光弘¹ (佐賀大理工¹，JSTさきがけ²)

[28a-G4-5] ITOナノインクを用いたCIGS薄膜多接合太陽電池作製 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○（DC）大西智¹，伊藤勇磨¹，黒川康良^1,2，宮島晋介^1,2，山田明^1,2 (東工大¹，東工大PVREC²)

[28a-G4-6] CIGS 太陽電池に向けたRF スパッタ法によるアモルファスZn-Sn-O バッファ層の堆積 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○（B）張紹偉，石川薫，杉山睦 (東理大理工)

[28a-G4-6.1] 休憩(15分)

[28a-G4-7] スパッタリングによるバッファ層を用いたCIGS太陽電池の高効率化 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○佐藤正律¹，渡部修¹，中川隆史¹，柴田肇²，仁木栄² (キヤノンアネルバ¹，産総研²)

[28a-G4-8] Zn(S,O,OH)バッファの電子構造とCIGS電池特性の関連性の検討 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○森田英揮¹，帖地宏典¹，吉本翔¹，桐原彬嘉¹，寺田教男^1,2，柴田肇²，仁木栄² (鹿児島大¹，産総研²)

[28a-G4-9] ▲Effect of Ga Profile in Cu(InGa)Se2 Prepared by Multi-Layer Precursor Method on Cell Performance (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○Jakapan Chantana，村田雅，樋口貴士，渡邉太一，河村和典，峯元高志 (立命館大)

[28a-G4-10] 光学データベースを利用したCu(In,Ga)Se₂系半導体の組成・構造解析 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

箕浦翔太¹，前川拓滋²，仁木栄³，^○藤原裕之¹ (岐阜大¹，ローム²，産総研³)

[28a-G4-11] Cu(In,Ga)Se₂のバンドプロファイルが太陽電池特性に及ぼす影響の理論解析 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○平井義晃¹，鈴木良太郎¹，黒川康良¹，山田明^1,2 (東工大院理工¹，東工大PVREC²)

一般セッション(口頭講演)

[28p-G4-1~19] 14.5 化合物太陽電池

2013年3月28日(木) 13:30 〜 18:30 G4 (B5号館 1F-2104)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28p-G4-0] 昼食(90分)

[28p-G4-1] ▲GaAs(001)上に成長したCuGaSe2単結晶薄膜のフォトルミネセンス (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○Sathiabama Thiru^1,2，佐藤友博^1,2，佐藤知嵩^1,2，豊田康揮^1,2，藤田実樹^1,2，堀越佳治^1,2 (早大理工¹，早大材料技術研究所²)

[28p-G4-2] Cu(In,Ga)Se₂薄膜試料における超高速光キャリアダイナミクス (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○岡野真人¹，高林悠太郎²，櫻井岳暁²，秋本克洋²，古江重紀³，柴田肇³，仁木栄³，金光義彦^1,4 (京大化研¹，筑波大数理²，産総研³，JST-CREST⁴)

[28p-G4-3] Cu(In,Ga)Se₂薄膜内のCu_2-δSe相形成の原因について (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○（M2）高林悠太郎¹，名塚岳洋¹，清水泰介¹，櫻井岳暁¹，山田昭政²，石塚尚吾²，松原浩司²，仁木栄²，秋本克洋¹ (筑波大数理¹，産総研²)

[28p-G4-4] 第一原理計算によるCu(In,Ga)Se₂中のCu, InおよびGaの原子拡散の評価 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○（PC）前田毅，中村哲士，和田隆博 (龍谷大理工)

[28p-G4-5] 第一原理計算とSTEM観察によるCuInSe₂粒界構造解析 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○（M1）山口裕之^1,2，平松秀典³，細野秀雄³，溝口照康² (東大院工¹，東大生産研²，東工大³)

[28p-G4-6] P-KFMによるCIGS太陽電池における光励起キャリア再結合プロセスの評価 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○龍顯得¹，中島悠¹，峯元高志³，高橋琢二^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²，立命館大理工³)

[28p-G4-7] AFM光熱分光法によるCu(In,Ga)Se₂太陽電池における非発光再結合の観測 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○（M2）浜本寧¹，原賢二¹，峯元高志³，高橋琢二^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²，立命館大理工³)

[28p-G4-8] インピーダンス分光法によるカルコパイライト系太陽電池の評価 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○梅原猛¹，黒川康良^1,2，宮島晋介¹，山田明^1,2 (東工大院理工¹，東工大PVREC²)

[28p-G4-9] プロトン照射したCIGS太陽電池のインピーダンス特性 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○杉山睦¹，ジャスピンシャロン¹，廣瀬維子¹，坂倉秀徳¹，米岡将士²，角田功²，高倉健一郎²，板垣昌幸¹ (東京理科大¹，熊本高専²)

[28p-G4-9.1] 休憩(15分)

[28p-G4-10] TiO₂上に吸着されたSb₂S₃の光励起キャリアダイナミクス (4:00 PM ～ 4:15 PM)

宮本真伍¹，福本貴文²，丹羽勇介²，前田直孝³，片山健二³，尾込祐平⁴，早瀬修二⁴，沈青^1,5,6，^○豊田太郎^1,6 (電気通信大¹，日産自動車²，中大理工³，九工大院生命体工⁴，JST さきがけ⁵，JST CREST⁶)

[28p-G4-11] △NEA表面を利用した伝導電子エネルギーの直接測定 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○市橋史朗，志村大樹，西谷健治，原田俊太，桑原真人，伊藤孝寛，田川美穂，宇治原徹 (名大院工)

[28p-G4-12] △太陽電池の電荷分離における化学ポテンシャルの役割 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○（PC）原康祐，宇佐美徳隆 (東北大金研)

[28p-G4-13] 集光型太陽光発電システム出力における太陽光スペクトルと温度の影響 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○Alhusna Husyira¹，柴田直樹¹，澤野直樹¹，植野聖也²，太田靖之¹，荒木建次³，峯元高志²，西岡賢祐¹ (宮崎大¹，立命館大²，大同特殊鋼³)

[28p-G4-14] △モノリシック集積直列接続GaAs太陽電池の集光特性評価 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○瀬能未奈都¹，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭² (東大院工¹，東大先端研²)

[28p-G4-15] 集光型太陽電池モジュール出力の試作と許容入射角の測定 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○渡邉冬馬¹，渡辺健太郎²，杉山正和²，中野義昭² (東大工¹，東大先端研²)

[28p-G4-16] 導電性ナノ粒子配列を用いたメカニカルスタック多接合太陽電池の検討-Ⅱ (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○牧田紀久夫，水野英範，小牧弘典，菅谷武芳，大島隆治，柴田肇，松原浩司，仁木栄 (産総研)

[28p-G4-17] GaInNAsSb太陽電池における開放電圧の集光特性 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○宮下直也，渡辺健太郎，岡田至崇 (東大先端研)

[28p-G4-18] 中間バンド型太陽電池特性の量子ドット密度依存性 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○内田圭祐，坂本克好，山口浩一 (電通大)

[28p-G4-19] 中間バンド型量子ドット太陽電池のデバイスシミュレーション (VII) (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○吉田勝尚^1,2，岡田至崇^1,2，佐野伸行³ (東大院工¹，東大先端研²，筑波大³)

一般セッション(口頭講演)

[29a-G4-1~11] 14.5 化合物太陽電池

2013年3月29日(金) 09:00 〜 12:00 G4 (B5号館 1F-2104)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29a-G4-1] 量子ドット太陽電池の輻射再結合特性 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○笠松直史，長谷川愛子，喜多隆 (神戸大)

[29a-G4-2] △量子ドット太陽電池における中間バンド－連続準位間の光吸収解析 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○野澤朋宏^1,2,3，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²，シャープ³)

[29a-G4-3] InGaAs/GaAsナノワイヤ量子ドットを有する太陽電池の試作 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○舘林潤¹，田辺克明¹，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

[29a-G4-4] 量子井戸太陽電池におけるキャリア回収効率の妥当性検証 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○藤井宏昌¹，カシディットトープラサートポン¹，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭^1,2 (東大工¹，東大先端研²)

[29a-G4-5] △InGaAs/GaAsP量子井戸太陽電池における障壁層厚さがキャリア脱出に与える影響 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○カシディットトープラサートポン¹，藤井宏昌¹，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭² (東大工¹，東大先端研²)

[29a-G4-6] X電子伝導を用いたAlGaInSb混晶太陽電池 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○河原塚篤^1,2,3,4，堀越佳治^2,3,4 (早大高等研¹，早大理工²，早大材研³，JST-CREST⁴)

[29a-G4-6.1] 休憩(15分)

[29a-G4-7] △AlGaAs/InGaAs超格子構造におけるミニバンドの超高分解能直接観察 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○志村大樹¹，市橋史朗¹，原田俊太¹，桒原真人¹，伊藤孝寛¹，松波雅治²，木村真一²，酒井武信³，田川美穂¹，宇治原徹¹ (名大院工¹，分子研UVSOR²，トヨタ自動車³)

[29a-G4-8] ▲InGaAs/GaAsP歪み補償超格子セルにおけるヘテロ界面処理 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○王雲鵬¹，藤井宏昌²，ハサネツトソダバンル¹，渡辺健太郎¹，杉山正和²，中野義昭¹ (東大先端研¹，東大院工²)

[29a-G4-9] ▲トンネル援用InGaAs/GaAsP量子井戸セルにおけるキャリア脱出のバイアス依存性 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○（D）馬少駿¹，ハッサネットソダーバンル²，王雲鵬²，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭^1,2 (東大院工¹，東大先端研²)

[29a-G4-10] △薄型光閉じ込め量子井戸太陽電池の試作 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○井上智之¹，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭² (東大工¹，東大先端研²)

[29a-G4-11] InGaAs/GaAsP超格子挿入GaAs単接合セルの集光特性 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○渡辺健太郎¹，王云鵬¹，ハッサネットソダーバンル¹，杉山正和²，中野義昭^1,2 (東大先端研¹，東大院工²)

一般セッション(ポスター講演)

[29p-PA3-1~18] 14.5 化合物太陽電池

2013年3月29日(金) 13:30 〜 15:30 PA3 (第一体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PA会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-PA3-1] NiO/Ni_xZn_1-xO/ZnO構造を用いた可視光透過型太陽電池の試作 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○川出大佑¹，中村文香¹，山下貴史¹，橋本龍一¹，清水翼¹，秩父重英²，杉山睦¹ (東理大　理工/総研¹，東北大多元研²)

[29p-PA3-2] 印刷式CIGS太陽電池の作製におけるKCNエッチングの効果 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

谷本圭司¹，^○深津健¹，伊藤省吾¹，池田茂²，松村道雄²，Duy Cuong Nguyen¹ (兵県大工¹，大阪大²)

[29p-PA3-3] CIGS太陽電池の低エネルギー電子線照射効果 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○川北史朗¹，今泉充¹，石塚尚吾²，柴田肇²，奥田修一³，艸分宏昌¹，仁木栄² (宇宙機構¹，産総研²，大阪府大³)

[29p-PA3-4] ZnTeO成長層のフォトカレント測定 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○日向淳一，坪谷直樹，鍋谷暢一，村中司，松本俊 (山梨大院医工)

[29p-PA3-5] 容量DLTS法によるZnTe及びZnTeOの物性評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○坪谷直樹，日向淳一，鍋谷暢一，村中司，松本俊 (山梨大院医工)

[29p-PA3-6] CZTS薄膜に与えるスプレー溶液中のC2H5OH濃度の効果 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○吉岡督之，宮﨑尚，山口裕明，岡本庸一，守本純 (防衛大)

[29p-PA3-7] SeO₂を用いたセレン化プロセスによるCIS/CZTS化合物半導体の作製 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○笘居高明¹，中安祐太¹，矢中美紀¹，角谷正友²，本間格¹ (東北大多元研¹，物材機構²)

[29p-PA3-8] S/Se雰囲気中での熱処理によるCZTSSe(S/(S+Se)>0.4)薄膜太陽電池の作製 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○山口利幸¹，岡祐介¹，水井裕一¹，新山茂利²，今西敏人² (和歌山高専¹，和歌山県工技セ²)

[29p-PA3-9] Cu-Zn-Sn合金ターゲットを用いたRFスパッタリングによるCZTS系薄膜太陽電池 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○百瀬成空¹，Than Htay Myo²，新井雄貴²，荒井隆太郎²，橋本佳男²，伊東謙太郎² (長野高専¹，信州大工²)

[29p-PA3-10] Cu₂ZnSnS₄半導体結晶の育成と光学特性及びバンド構造評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）保科慧治，尾崎俊二 (群馬大院工)

[29p-PA3-11] 硫化法を用いたSnS薄膜のグレインと配向性の制御 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○久富一真，永易京，森賢志，平松昂，杉山睦 (東理大　理工/総研)

[29p-PA3-12] InGaN/GaN MQW 太陽電池特性のペア数依存性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○渡邉則之¹，満原学¹，横山春喜¹，梁剣波²，重川直輝² (NTT PH研¹，大阪市大工²)

[29p-PA3-13] CdS/CdSe複合化量子ドットを増感剤とするTiO₂ナノチューブ電極の光電変換特性と交流インピーダンス特性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○太田朋佳¹，山田灯¹，Pabro Boix²，Ivan Mora-sero²，Juan Bisquert²，豊田太郎^1,4，沈青^1,3,4 (電気通信大¹，Universitat Jaume I²，JST さきがけ³，CREST⁴)

[29p-PA3-14] △ZnS表面修飾によるCdSe量子ドット増感太陽電池の光電流特性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○秋元正哉¹，田井大樹¹，沈青^1,2,3，豊田太郎^1,3 (電通大先進理工¹，JSTさきがけ²，JSTCREST³)

[29p-PA3-15] 固体型PbS量子ドット太陽電池における光電変換特性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○久家佑輝¹，尾込裕平^2,4，早瀬修二^2,4，豊田太郎^1,4，沈青^1,3,4 (電気通信大¹，九工大院生命体工²，JST　さきがけ³，JST　CREST⁴)

[29p-PA3-16] ITO/p-InPヘテロ接合ナノワイヤアレイ太陽電池 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○吉村正利^1,2，中井栄治^1,2，冨岡克広^1,2,3，福井孝志^1,2 (北大院情報科学¹，北大量集センター²，JST さきがけ³)

[29p-PA3-17] 表面活性化ボンディングによる低抵抗Si/III-V接合 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○重川直輝^1,2，梁剣波^1,2 (大阪市大工¹，JST/CREST²)

[29p-PA3-18] GaNを用いた色素増感太陽電池の研究 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

野口誠¹，^○沈青^1,2,3，小林直樹¹，豊田太郎^1,3 (電通大¹，JSTさきがけ²，CREST JST³)

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14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.5 化合物太陽電池

[28a-G4-1~11] 14.5 化合物太陽電池

[28p-G4-1~19] 14.5 化合物太陽電池

[29a-G4-1~11] 14.5 化合物太陽電池

[29p-PA3-1~18] 14.5 化合物太陽電池