一般セッション(口頭講演)

[29a-G10-1~11] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

2013年3月29日(金) 09:00 〜 12:00 G10 (B5号館 2F-2204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29a-G10-1] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
高移動度グラフェン／ｈ-ＢＮヘテロ構造における量子輸送現象 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○増渕覚^{1, 2}，井口和之¹，大貫雅広¹，森川生¹，荒井美穂¹，山口健洋¹，井上義久¹，渡邉賢司³，谷口尚³，町田友樹^{1, 2} (東大生研¹，東大ナノ量子²，物材機構³)

[29a-G10-2] △多層グラフェン/Ni触媒触媒積層配線の形成と特性評価 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○石倉太志，和田真，磯林厚伸，西出大亮，松本貴士，伊東伴，山崎雄一，渡邉勝仁，佐久間尚志，梶田明広，酒井忠司 (超低電圧デバイス技術研究組合　（ＬＥＡＰ）)

[29a-G10-3] △BBLポリマーから調整した網面垂直/水平配向炭素薄膜の異方性評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○（PC）小田原玄樹，曾根田靖，吉澤徳子，児玉昌也 (産総研)

[29a-G10-4] マイクロ波プラズマCVD法で合成したグラフェン膜の電気伝導特性評価 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○沖川侑揮^1,2，津川和夫²，山田貴壽^1,2，石原正統^1,2，長谷川雅考^1,2 (産総研¹，TASC²)

[29a-G10-5] レジストフリープロセスによるグラフェン電子デバイスの作製 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○井福亮太，森山喬史，長汐晃輔，西村知紀，鳥海明 (東大院工)

[29a-G10-6] △金属と接触したグラフェンの量子容量測定による状態密度の抽出と結合機構の解明 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○井福亮太，長汐晃輔，西村知紀，鳥海明 (東大院工)

[29a-G10-6.1] 休憩(15分)

[29a-G10-7] △疑似的にフリースタンドしたグラフェンの伝導特性：水素アニール依存性 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○田邉真一，原田裕一，高村真琴，影島博之，日比野浩樹 (ＮＴＴ物性基礎研)

[29a-G10-8] SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの電子状態 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○影島博之，日比野浩樹 (NTT物性基礎研)

[29a-G10-9] レジストフリーコンタクト形成プロセスに基づくグラフェン/金属界面の理解 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○長汐晃輔，井福亮太，森山喬史，西村知紀，鳥海明 (東大マテリアル)

[29a-G10-10] 固相反応で直接合成したグラフェンを用いたショットキー接合の作製 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○平野遼，Emre Ayhan，Golap Kalita，種村眞幸 (名工大院工)

[29a-G10-11] △量子容量測定による2層グラフェンにおける分散関係の非対称性の解析 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○金山薫，長汐晃輔，西村知紀，鳥海明 (東大工)

一般セッション(口頭講演)

[29p-G10-1~18] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

2013年3月29日(金) 13:00 〜 17:45 G10 (B5号館 2F-2204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-G10-0] 昼食(60分)

[29p-G10-1] ダブルゲート2層グラフェントランジスタの第一原理シミュレーション (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○大淵真理 (富士通研)

[29p-G10-2] ゲート電界による2層グラフェン/h-BNのバンドギャップ構造 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○荒井美穂¹，渡邊賢司²，谷口尚²，増渕覚^{1, 3}，町田友樹^{1, 3, 4} (東大生産研¹，物材機構²，東大ナノ量子³，JST さきがけ⁴)

[29p-G10-3] △架橋・非架橋構造のグラフェン抵抗変化型メモリの書込・消去特性 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○（M1）新留彩^1,2，別府伸耕^1,2，高橋綱己^1,2，小田俊理³，内田建^1,2 (東工大院理工電子物理¹，慶應大理工電子工²，東工大量子ナノ研セ³)

[29p-G10-4] ▲Ab initio study of point defects in Armchair Graphene Nanoribbon (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○マノハランムルガナタン¹，北川景市¹，水田博^1,2 (北陸先端大¹，サザンプトン大²)

[29p-G10-5] ▼First-principle Study on Controlling Energy Gap of Graphene using Hybrid Armchair-Zigzag Nanoribbon Structures (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○Tien Cuong Nguyen¹，The Anh Le¹，Manoharan Muruganathan¹，Moktadir Zakaria²，Hieu Chi Dam¹，Nobuo Otsuka¹，Hiroshi Mizuta^1,2 (北陸先端大¹，サザンプトン大²)

[29p-G10-6] △高移動度グラフェン/h-BNにおけるサイクロトロン共鳴による光起電力効果 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○大貫雅広¹，増渕覚^1,2，荒井美穂¹，渡邊賢司³，谷口尚³，町田友樹^1,2,4 (東大生産研¹，東大ナノ量子²，物材機構³，JSTさきがけ⁴)

[29p-G10-7] グラフェンの光化学反応における水の影響 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○三苫伸彦¹，野内亮²，谷垣勝己^1,3 (東北大理¹，阪府大N2RC²，東北大WPI-AIMR³)

[29p-G10-8] △グラフェンをコートしたInP(100)から放射されるテラヘルツ波計測 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○（M1）佐野佑樹¹，Mika Tabata^1,2，Khandoker Salek¹，川山巌¹，Minjie Wang²，Robert Vajatai²，Junichiro Kono²，Pulickel . M. Ajayan²，斗内政吉¹ (阪大レーザー研¹，ライス大²)

[29p-G10-9] 還元―酸化グラフェンシート内の局在π電子状態 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○藤井慎太郎，榎敏明 (東工大院理)

[29p-G10-10] グラフェン振動子におけるエネルギー散逸 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○高村真琴，岡本創，古川一暁，田邉真一，山口浩司，日比野浩樹 (ＮＴＴ物性基礎研)

[29p-G10-11] △短尺垂直配向多層CNTフォレストの初期成長光学特性 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○関家一樹¹，小路紘史¹，古田寛^1,2，八田章光^1,2 (高知工科大¹，高知工科大ナノテク研²)

[29p-G10-12] 多層カーボンナノチューブ単体の電気特性 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○鈴木真理子，片桐雅之，山崎雄一，宮崎久生，佐久間尚志，梶田明広，酒井忠司 (LEAP)

[29p-G10-12.1] 休憩(15分)

[29p-G10-13] △その場高分解能電子顕微鏡法によるカーボンナノチューブ／金ナノ粒子接合の電気伝導測定 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○（DC）苅田基志，安坂幸師，中原仁，齋藤弥八 (名大院工)

[29p-G10-14] △カーボンナノチューブヒーター上シリコンナノ粒子の構造変化TEMその場観察 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○（M2）寺田朋広，安坂幸師，中原仁，齋藤弥八 (名大院工)

[29p-G10-15] 原子間力顕微法による単層カーボンナノチューブ直径の定量評価 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○稲葉工¹，杉山龍平¹，井藤浩志²，本間芳和¹ (東理大理¹，産総研²)

[29p-G10-16] 共鳴ラマン散乱における架橋単層カーボンナノチューブへの水吸着効果 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○松本大輝¹，下羽淳平¹，千足昇平²，山本貴博¹，本間芳和¹ (東理大院¹，東大院²)

[29p-G10-17] 近赤外蛍光分光及びイメージング分光を用いた単層カーボンナノチューブ表面における水の吸着状態の評価 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○下羽淳平¹，千足昇平²，松本大輝¹，小竿明彦¹，本間芳和¹ (東理大理¹，東大工²)

[29p-G10-18] 様々な環境中におけるCNT のCs 吸着能力 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○荒木拓海¹，手島正吾¹，中村壽¹，遠藤守信² (高度情報科学技術研究機構¹，信州大工²)

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