セッション一覧

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.4 光物性・発光デバイス

一般セッション(ポスター講演)

[27a-PA7-1~27] 14.4 光物性・発光デバイス

2013年3月27日(水) 09:30 〜 11:30 PA7 (第一体育館)

ポスター掲示時間9:30〜11:30(PA会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[27a-PA7-1] 希土類元素共添加によるCaGa₂S₄:Mn²⁺赤色発光増感現象のESR研究 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○北嶋一徹¹，滝沢武男¹，日高千晴¹，野村重孝² (日大¹，東京理科大²)

[27a-PA7-2] 蛍光XAFS法による選択成長Eu添加GaN中のEuイオン周辺局所構造解析 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○大渕博宣¹，長谷川亮介²，李東建²，若松龍太²，松野孝則²，小泉淳²，本間徹生¹，藤原康文² (JASRI/SPring-8¹，阪大²)

[27a-PA7-3] 蛍光体CaAlSiN₃:Eu²⁺およびシリコン窒化物欠陥の電子スピン共鳴観察 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○神垣良昭¹，山元明²，須田順子² (イービーエル¹，ルミグリーンテクノロジー²)

[27a-PA7-4] 青色蛍光体Sr₃MgSi₂O₈:Eu²⁺の405 nm光励起における内部量子効率 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○岡本慎二 (東京化学研究所)

[27a-PA7-5] Eu²⁺を付活したペロブスカイト型スカンジウム酸フッ化物蛍光体 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○藤田佳子¹，國本崇¹，三上昌義²，下村康夫² (徳文大院工¹，三菱化学科技セ²)

[27a-PA7-6] 固相合成法により作製した(Zn_1-XMg_X)Al₂O₄の紫外発光特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○石永健揚，小南裕子，中西洋一郎，原和彦 (静大電子研)

[27a-PA7-7] シリコンナノワイヤー上へのチオシリケート蛍光体の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○今井悠，尾田幸大郎，七井靖，奥野剛史 (電通大量子・物質工)

[27a-PA7-8] パルスレーザー堆積法を用いたEu₂SiS₄蛍光体膜の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○佐藤駿，七井靖，坂本侑，奥野剛史 (電通大量子・物質工)

[27a-PA7-9] 溶液合成法によるリン酸塩蛍光体I_aZnPO₄:Mn(I_a=Li,Na)の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○山科憲司¹，大観光徳^1,2 (鳥取大院工¹，TEDREC²)

[27a-PA7-10] BaSiF₆:Mn⁴⁺赤色蛍光体の作製と評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（B）関口大祐，奈良淳一，安達定雄 (群馬大院工)

[27a-PA7-11] Eu³⁺賦活Ga₂O₃蛍光体の作製と発光特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○時田祥紀，安達定雄 (群馬大院工)

[27a-PA7-12] NaCl:Ce³⁺ 青色蛍光体の作製および発光特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（B）長岡佳宏，近藤萌，安達定雄 (群馬大院工)

[27a-PA7-13] SnO₂:Mn²⁺蛍光体の作製と評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○新井敬章，時田祥紀，安達定雄 (群馬大院工)

[27a-PA7-14] NaYF4:Erの欠陥準位がアップコンバージョン特性に及ぼす影響 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）伊東孝晃 (筑波大数理)

[27a-PA7-15] YVO₄:Bi³⁺,Eu³⁺蛍光体の発光スペクトルの温度依存性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○阿部泰雅¹，加藤有行¹，内富直隆¹，湯葢邦夫²，宍戸統悦² (長岡技科大工¹，東北大金研²)

[27a-PA7-16] Sm³⁺添加ガラス蛍光体とPr³⁺添加ガラス蛍光体の発光特性 ―ポストアニールの効果― (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○大島弘嗣¹，渕真悟¹，上村彦樹²，竹田美和² (名大院工¹，科技財団²)

[27a-PA7-17] EuAlO₃単結晶の作製と発光特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○古川翔子，舟生浩一，山中明生 (千歳科学技術大)

[27a-PA7-18] Nd-Al共添加TiO₂薄膜のPL特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○相澤豊¹，大槻卓也¹，原子進¹，小室修二²，平尾法恵³，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²，JAEA³)

[27a-PA7-19] マイクロエマルジョンを用いたポリオール法によるYVO₄:Biナノ蛍光体の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

池口明良，磯前厚，^○加藤有行 (長岡技科大工)

[27a-PA7-20] 電気泳動堆積法によるペロブスカイト蛍光体薄膜の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

加藤陸，^○加藤有行 (長岡技科大工)

[27a-PA7-21] 層状ペロブスカイト酸化物における応力発光増大メカニズム (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（DC）上村直¹，山田浩志^1,2，徐超男^1,2 (九大院総理工¹，産総研²)

[27a-PA7-22] スパッタ成膜した新規なペロブスカイト蛍光体薄膜のEL特性(Ⅱ) (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○阿部信也，宮田俊弘，南内嗣 (金沢工大 OEDS R&D センター)

[27a-PA7-23] ディップコート法により作製した階段状酸化物薄膜における膜厚分布の改善 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○深田晴己，田中強士，南内嗣 (金沢工大O.E.D.S. R&Dセンター)

[27a-PA7-24] ガス輸送気相成長法によるZnSeナノ結晶の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○白井啓太，尾崎俊二 (群馬大院工)

[27a-PA7-25] 1光束2光子吸収測定によるInPの非線形感受率テンソルχ⁽³⁾の評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）篠崎智文，坂東弘之，大石真樹，原皓，松末俊夫 (千葉大院・融合)

[27a-PA7-26] Tl系化合物における光第二高調波発生による構造相転移の評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○荒木祥人¹，宮本桂¹，淺葉亮¹，沈用球²，三村功次郎²，脇田和樹¹，Nazim Mamedov³ (千葉工大¹，大府大院工²，ｱｾﾞﾙﾊﾞｲｼﾞｬﾝ物理研³)

[27a-PA7-27] AgGaS₂半導体のバンドギャップエネルギーの特異な温度依存性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）小野寺翼，尾崎俊二 (群馬大工)

一般セッション(口頭講演)

[28a-G5-1~10] 14.4 光物性・発光デバイス

2013年3月28日(木) 10:00 〜 12:45 G5 (B5号館 1F-2105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[28a-G5-1] Si基板上酸化エルビウムのＭＢＥ成長 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○尾身博雄^1,2，俵毅彦^1,2，鍜治怜奈³，穂積貴人³，足立智³，後藤秀樹¹，寒川哲臣¹ (NTT物性基礎研¹，NTTナノフォトニクスセンタ²，北大院工³)

[28a-G5-2] 酸化エルビウムエピタキシャル薄膜の光学特性 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○俵毅彦^1,2，穂積貴人³，尾身博雄^1,2，鍛治怜奈³，足立智³，後藤秀樹¹，寒川哲臣¹ (NTT物性基礎研¹，NTTナノフォトニクスセンタ²，北大院工³)

[28a-G5-3] スパッタ成膜したZnO:Er膜からの発光特性 -Er濃度依存性- (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○赤沢方省^{1, 2}，篠島弘幸³ (NTT MI研¹，NTT NPC²，久留米高専³)

[28a-G5-4] GaN化合物を原料に用いたMBE法による希土類添加GaN薄膜の作製 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○弓達新治，小山裕生，井上貴満，宮田晃，白方祥 (愛媛大工)

[28a-G5-5] 希土類添加半導体AlGdNの熱アニールによる紫外発光強度向上 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○石津勇太¹，市井邦之¹，來山真也¹，喜多隆¹，千木慶隆²，西本哲朗²，田中寛之²，小林幹弘²，石原嗣生³，泉宏和³ (神戸大院工¹，ユメックス²，兵庫県立工業技術センター³)

[28a-G5-5.1] 休憩(15分)

[28a-G5-6] Eu添加GaNの共鳴励起下における発光特性評価と発光中心の定量評価 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○若松龍太，李東建，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

[28a-G5-7] Eu添加GaNにおける発光中心のEu原料依存性 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○若松龍太¹，斎藤泰久¹，李東建¹，大渕博宣²，本間徹生²，小泉淳¹，藤原康文¹ (阪大院工¹，JASRI/SPring-8²)

[28a-G5-8] Eu添加GaNにおける酸素共添加によるEu発光中心の形成制御 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○李東建，松田将明，若松龍太，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

[28a-G5-9] サイト選択X線吸収分光を使った光るSm添加物の局所構造歪の特定 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○石井真史^1,2，Yongfeng Hu³，Tsun-Kong Sham³，原子進⁴，趙新為⁴，小室修二⁵，Bruce Hamilton² (物材機構¹，Univ. Manchester²，CLS³，東理大⁴，東洋大⁵)

[28a-G5-10] n-TiO₂:Sm/p-NiO/p⁺-Si LEDの発光特性 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○大槻卓也¹，相沢豊¹，原子進¹，小室修二²，平尾法恵³，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²，原研³)

一般セッション(口頭講演)

[28p-G5-1~15] 14.4 光物性・発光デバイス

2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:00 G5 (B5号館 1F-2105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[28p-G5-0] 昼食(75分)

[28p-G5-1] 二波長励起PL法によるInGaN量子井戸の非発光再結合準位評価 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○村越尚輝¹，イスラムトウヒドル¹，福田武司¹，鎌田憲彦¹，荒川泰彦² (埼玉大¹，東大生産研²)

[28p-G5-2] InAs/InGaAsP/InP量子ドット構造半導体の発光現象の解析 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○（M1）佐藤里枝，中村茉莉也，今井元 (日女大理)

[28p-G5-3] 陽極酸化アルミナにおける自己電荷再配分とそれによる発光促進 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○石井真史^1,2，Bruce Hamilton² (物材機構¹，Univ. Manchester²)

[28p-G5-4] DNAオリゴマーを用いたCdSe/ZnS系量子ドットの一次元配列化とその発光特性 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○小田勝^1,2，苗村祥央²，武笠峻大²，座古保³，前田瑞夫³，谷俊朗^1,2 (農工大院工先端物理工学部門¹，農工大院工物理システム工学専攻²，理化学研究所前田バイオ工学研究室³)

[28p-G5-5] CdSe及び(CdMn)Seナノシート超格子の光学的性質 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○藤澤和輝，湯浅晃正，松石清人 (筑波大数物)

[28p-G5-6] バルクGeの直接遷移ELと間接遷移ELの直流電場による分離 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○寺田陽祐，安武裕輔，深津晋 (東大院総合（駒場）)

[28p-G5-7] コロイド状Geナノ結晶の作製と光学特性(II) (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○（B）管野天，杉本泰，藤井稔，今北健二，林真至 (神戸大院工)

[28p-G5-7.1] 休憩(15分)

[28p-G5-8] MOS構造における結晶シリコン表面の少数キャリヤ再結合 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○古川潤，吉冨真也，蓮見真彦，鮫島俊之 (東京農工大)

[28p-G5-9] 多重積層量子ドットのSiO₂膜スパッタと熱処理による組成拡散の検討 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○（M1）松下明日香¹，松本敦¹，赤羽浩一²，松島裕一¹，宇高勝之¹ (早大理工¹，情報通信研究機構²)

[28p-G5-10] ビスマスドープシリコンオキシナイトライド薄膜の近赤外発光特性（Ⅱ） (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○北野祥平¹，森本賢¹，藤井稔¹，Hong-Tao Sun²，今北健二¹，Jianrong Qui³，林真至¹ (神戸大工¹，物材機構²，浙江大³)

[28p-G5-11] △近赤外-可視発光Siナノ結晶コロイドの開発 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○杉本泰¹，藤井稔¹，今北健二¹，林真至¹，赤松謙祐² (神戸大院工¹，甲南大フロンティアサイエンス学部²)

[28p-G5-12] 表面修飾無しで水分散性を有するSiナノ結晶 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○福田友輝¹，杉本泰¹，藤井稔¹，今北健二¹，林真至¹，赤松謙祐² (神戸大工¹，甲南大フロンティアサイエンス²)

[28p-G5-13] 親水性有機分子によって表面終端されたポーラスSiの発光特性 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○松本公久，仁ヶ竹純一，割出貴，野村俊，神谷和秀 (富山県大)

[28p-G5-14] ▲酸化ナノシリコンにおける紫外発光と青色発光の連関性 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○Bernard Gelloz¹，Romain Mentek²，越田信義² (名大工¹，農工大工²)

[28p-G5-15] Si/CaF₂ サブバンド間遷移レーザ構造からの室温近赤外(λ〜1.5μm)EL 発光 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○瀬川美奈人，越智達也，越田悠太，渡辺正裕 (東工大院総理工)

一般セッション(口頭講演)

[29a-G5-1~10] 14.4 光物性・発光デバイス

2013年3月29日(金) 10:00 〜 12:45 G5 (B5号館 1F-2105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[29a-G5-1] インクジェット法による無機薄膜EL素子の作製 -水熱法によるZnS:Mn微粒子の合成- (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○福田尚哉¹，俵谷佳典¹，大観光徳^1,2 (鳥取大院工¹，TEDREC²)

[29a-G5-2] △超短パルスレーザーによる微粒化処理を行ったZnS蛍光体の作製 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○鍋坂恭平¹，石河泰明^1,3，土江貴洋¹，田口信義²，細川陽一郎¹，浦岡行治^1,3 (奈良先端大¹，イメージテック²，CREST³)

[29a-G5-3] コンビナトリアル・ディップコート法を用いて作製したBi付活Y₂O₃ベース多元系酸化物薄膜 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○田中強士，深田晴己，南内嗣 (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセンター)

[29a-G5-4] Ca0.6Sr0.4TiO3:Pr蛍光体／SnO2:Sb透明導電体交互積層膜のエレクトロルミネッセンス特性 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○京免徹¹，花屋実¹，高島浩² (群馬大院工¹，産総研²)

[29a-G5-5] 二層構造を有する分散型無機ELの輝度特性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○七田渡¹，浦岡行治²，田口信義³，山本伸一¹ (龍谷大¹，奈良先端科学技術大学院大²，イメージテック³)

[29a-G5-5.1] 休憩(15分)

[29a-G5-6] △ストライプ構造型電極を用いた無機ELの輝度特性 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○野中俊宏¹，浦岡行治²，田口信義³，山本伸一¹ (龍谷大理工¹，奈良先端大²，イメージテック³)

[29a-G5-7] インクジェット法により塗布したMgO微粒子を有する無機薄膜エレクトロルミネッセンス(EL)素子 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○國岡翔太¹，板垣悠己¹，大観光徳^1,2 (鳥取大院工¹，ＴＥＤＲＥＣ²)

[29a-G5-8] 量子効率測定による無機EL素子における発光特性の検討 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○岩田祐磨，堀口朋希，三浦登，松本皓永 (明大理工)

[29a-G5-9] 酸化物半導体薄膜を用いた直流無機薄膜 EL 素子のアニール温度依存性 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○岡本正伸，三浦登，松本皓永 (明大理工)

[29a-G5-10] 赤色CuAlS₂:Mn導電性蛍光体薄膜(Ⅱ) (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○大島祐樹¹，中村祐介¹，大観光徳^1,2 (鳥取大院工¹，ＴＥＤＲＥＣ²)

一般セッション(口頭講演)

[29p-G5-1~16] 14.4 光物性・発光デバイス

2013年3月29日(金) 14:00 〜 18:15 G5 (B5号館 1F-2105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[29p-G5-0] 昼食(75分)

[29p-G5-1] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
フォトクロミズムを有する層状ペロブスカイト型酸化物 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○上村直¹，山田浩志^1,2，徐超男^1,2 (九大院総理工¹，産総研²)

[29p-G5-2] Ca系複合ペロブスカイト型酸化物におけるPr³⁺発光の温度依存性 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○牧野久雄¹，佐藤泰史²，垣花眞人² (高知工科大総研¹，東北大多元研²)

[29p-G5-3] Euと希土類元素を共添加したCaGa₂S₄中のトラップ準位II (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○日高千晴，滝沢武男 (日大文理)

[29p-G5-4] △ABW₂O₈:Eu(A = Li, Na; B = Y, Gd)混晶の結晶構造と励起特性の相関関係 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○菱谷大輔，加藤有行 (長岡技科大)

[29p-G5-5] 希土類を添加したCaWO₄の蛍光特性Ⅱ (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○木田光太郎，嶋浩政，高橋悠樹，成瀬寛峰，山中明生 (千歳科学技術大)

[29p-G5-6] ▲ゼオライト中のAgクラスターによるEuイオンの発光増強 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○白薩初栄貴，今北健二，藤井稔，林真至 (神戸大)

[29p-G5-7] △電気泳動堆積法によるYVO₄:Bi³⁺,Eu³⁺ナノ蛍光体波長変換膜の作製と単結晶シリコン太陽電池への応用 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○磯由樹，竹下覚，磯部徹彦 (慶大理工)

[29p-G5-8] 広帯域発光Bi添加La₂Zr₂O₇透明セラミック蛍光体 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○呉竹悟志，村山浩二，田中伸彦，鴻池健弘 (村田製作所)

[29p-G5-8.1] 休憩(15分)

[29p-G5-9] ぺロブスカイト型フッ化物結晶の真空紫外発光評価 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○清水俊彦¹，南佑輝¹，山ノ井航平¹，西亮祐¹，武田耕平¹，Marilou Cadatal-Raduban²，Hong Minh Pham^1,3，黒澤俊介⁴，富樫格⁵，永園充⁶，新里悠希¹，坪井瑞輝¹，Mui Viet Loung¹，中里智治¹，猿倉信彦¹，Dai Hung Nguyen³，横田有為⁴，吉川彰⁴，石川哲也⁶ (阪大レーザー研¹，マッセー大²，VAST³，東北大金属研⁴，JASRI⁵，RIKEN⁶)

[29p-G5-10] アニール処理したZnO蛍光体薄膜の構造および発光特性 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○金森聡¹，三宅亜紀^1,3，居波渉^2,3，小南裕子⁴，川田善正^1,3，中西洋一郎⁴ (静岡大工¹，静岡大GRL²，JST-CREST³，静岡大電子研⁴)

[29p-G5-11] 溶融法による蛍光体の高速探索 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○戸田健司，長谷川拓哉，亀井真之介，上松和義，石垣雅，佐藤峰夫 (新潟大)

[29p-G5-12] △高安定な希土類チオシリケート蛍光体の探索 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○七井靖，坂本侑，鈴木洋介，佐野拓哉，奥野剛史 (電通大先進理工)

[29p-G5-13] 新規チオシリケート蛍光体(Y,Tb)₄(SiS₄)₃の発光特性と結晶構造 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○鈴木洋介，七井靖，坂本侑，奥野剛史 (電通大)

[29p-G5-14] 新規窒化物蛍光体Sr₂B_2-2xSi_2+3xAl_2-xN_8+x(x≈0.1)の結晶構造解析 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○（P）舟橋司朗，道上勇一，武田隆史，広崎尚登 (物材機構)

[29p-G5-15] Sr₂Si_2+3xAl_2-xN_8+xB_2-2x蛍光体の合成とその発光特性 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○市川真義¹，舟橋司郎²，広崎尚登²，江本秀幸¹，山田鈴弥¹ (電気化学工業¹，物質・材料研究機構²)

[29p-G5-16] 窒化物蛍光体の高温量子効率 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○武田隆史，広崎尚登，解栄軍，末広隆之 (物質・材料研究機構)