一般セッション(口頭講演)

[28a-G12-1~11] 17.1 成長技術

2013年3月28日(木) 09:00 〜 12:00 G12 (B5号館 2F-2206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28a-G12-1] 高アスペクト比微細ビア内へのカーボンナノチューブ成長およびその電気的特性評価 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○山崎雄一，斎藤達朗，和田真，張利，北村政幸，片桐雅之，佐久間尚志，磯林厚伸，鈴木真理子，坂田敦子，梶田明広，酒井忠司 (LEAP)

[28a-G12-2] カーボンナノチューブ成長用Fe/Ti, Fe/Al触媒膜における化学状態のその場温度依存性分析 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○高嶋明人¹，池永英司¹，室隆桂之¹，川端章夫²，村上智²，二瓶瑞久²，横山直樹² (JASRI/SPring-8¹，連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター/産総研²)

[28a-G12-3] 温度勾配制御[STEP]成長による高密度CNT成長とその熱特性 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○川端章夫，村上智，二瓶瑞久，横山直樹 (産総研、GNC)

[28a-G12-4] ダブルファーネスアルコール熱化学気相蒸着法による鉄ナノ粒子触媒からのカーボンナノチューブの高効率成長 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○高橋克弥¹，内田貴司¹，内山英史²，吉田善一¹ (東洋大¹，立山マシン²)

[28a-G12-5] △FeNPs-C20 LB膜からのVA-CNT作製およびその直径評価 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○竹澤章裕，奈良龍太，金杉治，串田正人 (千葉大院工)

[28a-G12-6] △Fe₃O₄@SiO₂コアシェル粒子を触媒としたCNTの直径制御 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○菅原丈博¹，川﨑浩平¹，大橋正明²，串田正人¹ (千葉大院工¹，千葉大²)

[28a-G12-6.1] 休憩(15分)

[28a-G12-7] 熱処理中の亀裂形成とともにブリッジ成長する新規CNFの創成 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○日方威¹，大久保総一郎¹，東勇吾²，松葉晃明²，宇都宮里佐²，連川貞弘³，村上勝久⁴，藤田淳一⁴ (住友電工¹，日新電機²，熊本大³，筑波大⁴)

[28a-G12-8] ナノダイヤモンドから成長したカーボンナノチューブの径分布とその成長駆動力依存性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○小亀平章¹，藤本一輝¹，有福達治²，清柳典子²，小林慶裕¹ (阪大院¹，日本化薬²)

[28a-G12-9] Ni/Co積層膜を触媒とした熱フィラメントCVD法によるSWCNTの低温成長 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

上野朋洋，春田僚，上原達也，大塚嵩之，福田一誠，^○石川豊 (日本工大工)

[28a-G12-10] △Ni/Fe積層触媒による基板上微粒子密度変化メカニズム (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○小路紘史¹，関家一樹¹，新田紀子²，古田寛^1,2，八田章光^1,2 (高知工科大¹，高知工科大ナノテク研²)

[28a-G12-11] スパッタ堆積Ni極薄膜の電気伝導性その場評価 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○楠本雄司¹，松本康平¹，関家一樹¹，小路紘史¹，古田寛^1,2，八田章光^1,2 (高知工科大¹，高知工科大ナノテク研²)

一般セッション(口頭講演)

[29p-G12-1~21] 17.1 成長技術

2013年3月29日(金) 13:00 〜 18:30 G12 (B5号館 2F-2206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-G12-1] 炭素・金属ハイブリッド膜からの転写レスグラフェン生成 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○大島久純¹，桶結憲二¹，河野欣¹，小野田邦広¹，日比野浩樹² (デンソー基礎研究所¹，NTT物性基礎研²)

[29p-G12-2] 樹脂塗布法による高配向グラファイト膜の作製 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○平崎哲郎¹，植仁志¹，藤岡洋²，児玉昌也³ (東海カーボン¹，東大生産研²，産総研³)

[29p-G12-3] △アミロイドをテンプレートとしたグラフェンナノリボンの合成 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○董天辰^1,2，植木竜一^1,2，梶原裕哉^1,2，高井英輔²，大橋凱²，白木賢太郎²，村上勝久^1,2，藤田淳一^1,2 (TIMS¹，筑波大数理²)

[29p-G12-4] △矩形波を用いた電気化学的剥離によるグラフェンの作製 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○（M1）狩野絵美^1,2，秋山蒼太郎¹，唐捷^1,3，竹口雅樹³，村上勝久^1,2，藤田淳一^1,2 (筑波大数理¹，TIMS²，NIMS³)

[29p-G12-5] エッジ修飾されたアームチェア型グラフェンナノリボンの第一原理計算 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○實宝秀幸，大淵真理 (富士通研)

[29p-G12-6] 酸化グラフェンを用いたPd箔上でのグラフェン成長 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○加藤頌，小幡誠司，斉木幸一朗 (東大新領域)

[29p-G12-7] 鉄フタロシアニンを用いたグラフェンへの窒素ドーピングⅡ (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○山田寛人，斉木幸一朗，小幡誠司 (東大新領域)

[29p-G12-8] カーボンナノチューブ・グラフェン複合体の形成と物性評価 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○楠本太郎，小亀平章，藤本一輝，根岸良太，小林慶裕 (阪大院工)

[29p-G12-9] 溶液プロセスによる酸化グラフェンの欠陥修復 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○田中弘成¹，小幡誠司²，斉木幸一朗^1,2 (東大院理¹，東大院新領域²)

[29p-G12-10] Cu単結晶上におけるグラフェン生成の面方位依存性 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○小幡誠司¹，田中弘成²，斉木幸一朗^1,2 (東大新領域¹，東大院理²)

[29p-G12-11] △SiO2基板上へ直接合成したグラフェンの特性評価 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○生田昂，茱萸健太，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦 (阪大産研)

[29p-G12-11.1] 休憩(15分)

[29p-G12-12] SOG保護膜と金属触媒を用いた絶縁基板上へのグラフェン直接成長 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○高見俊志，清野亮介，荻野俊郎 (横国大院工)

[29p-G12-13] Ru(0001)表面に成長したグラフェンの凹凸構造 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○（P）村田祐也，鈴木哲，前田文彦，日比野浩樹 (ＮＴＴ物性基礎研)

[29p-G12-14] ▼Co上の単層h-BNの成長と分析 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○Carlo Orofeo，鈴木哲，影島博之，日比野浩樹 (NTT物性科学基礎研究所)

[29p-G12-15] △グラフェン-グラフェンヘテロ構造デバイスに向けたグラフェンのパッチワーク合成 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○（M1）安野裕貴，秋田成司，有江隆之 (大阪府大工)

[29p-G12-16] 絶縁性基板/触媒金属界面におけるグラフェン成長のラマン分光評価 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○清野亮介，高見俊之，荻野俊郎 (横国大工)

[29p-G12-17] パルスアークプラズマ蒸着によるCo/Si(111)基板上グラフェン成長 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○水野正也，伴野和也，藤田和久，江川孝志 (名工大)

[29p-G12-18] ▼プラズマCVD法による絶縁膜基板上への大面積ナノ結晶グラフェン成長 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○Marek Schmidt¹，Cigang Xu²，Mike Cook²，水田博^1,3，Harold Chong³ (北陸先端大¹，オックスフォード²，サザンプトン大³)

[29p-G12-19] Single Crystal Graphene by Micro Wave Surface Wave Plasma CVD (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○梅野正義¹，脇田紘一²，内田秀雄³，ハレラムアリヤル¹ (中部大総研¹，中部大生健²，中部大工³)

[29p-G12-20] MWPCVD法によるグラフェンのRoll-to-Roll合成の銅箔膜厚依存性 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○山田貴壽^1,2，加藤隆一²，嶋田那由太²，植草和輝²，石原正統^1,2，長谷川雅考^1,2 (産総研¹，TASC²)

[29p-G12-21] ヘリウムを用いたグラフェンプラズマCVD (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○津川和夫¹，加藤隆一¹，山田貴壽^1,2，長谷川雅考^1,2 (TASC¹，産総研²)

一般セッション(口頭講演)

[30a-G12-1~15] 17.1 成長技術

2013年3月30日(土) 09:00 〜 13:00 G12 (B5号館 2F-2206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[30a-G12-1] アルコールCVDグラフェン直接成長とショットキー特性の評価 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○溝口雅裕¹，張剣輝²，中村篤志²，天明二郎^1,2 (静大工¹，電子研²)

[30a-G12-2] CVD法による窒素およびホウ素ドープグラフェンの作成 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○石戸亮祐¹，鴨井督¹，金廷坤¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨弘¹ (京都工芸繊維大¹，和歌山大²)

[30a-G12-3] グラフェンCVD 成長におけるCu 基板の形態変化 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○寺澤知潮¹，斉木幸一朗^1,2 (東大院理¹，東大院新領域²)

[30a-G12-4] ヘテロエピタキシャル金属を用いた単層グラフェンナノリボンの触媒成長 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○吾郷浩樹^1,2，宮下雅大²，田中伊豆美¹，小川友以²，辻正治^1,2 (九大先導研¹，九大院総理工²)

[30a-G12-5] △人工ステップを有する多結晶Ni薄膜上の多層グラフェン成長 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○（M2）澤部亮介¹，山崎雄一²，佐久間尚志²，片桐雅之²，和田真²，北村政幸²，梶田明広²，酒井忠司²，粟野祐二¹ (慶大院理工¹，超低電圧研究組合²)

[30a-G12-6] ▼Evolution of chemical vapor deposited graphene domains on Ni and Cu foils using camphor precursor (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○Subash Sharma，Golap Kalita，Ayhan Emre，Ryo Hirano，Masaki Tanemura (名工大)

[30a-G12-7] グラフェンCVD用銅基板のHe/H₂プラズマ処理 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○加藤隆一¹，津川和夫¹，山田貴壽^1,2，長谷川雅考^1,2 (TASCグラフェン事業部¹，産総研ナノチューブ²)

[30a-G12-8] 結晶性金属触媒を用いた多層グラフェン合成とその電気特性 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○近藤大雄，中野美尚，林賢二郎，周波，久保田一郎，山口淳一，佐藤信太郎，横山直樹 (産総研GNC)

[30a-G12-8.1] 休憩(15分)

[30a-G12-9] Cuホイル表面におけるグラフェン島形成 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○林賢二郎，山田綾香，佐藤信太郎，横山直樹 (産総研GNC)

[30a-G12-10] C凝集過程におけるSiC(0001)ステップのテンプレート効果 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○（DC）井上仁人¹，寒川義裕^1,2，影島博之³，柿本浩一^1,2 (九大院工¹，九大応力研²，NTT物性研³)

[30a-G12-11] Si照射の影響によるSiC(000-1)上におけるグラフェンの回転ドメイン形成 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○チェンダースレイ，田中悟 (九大院工)

[30a-G12-12] SiC(1 -1 0 11)面上エピタキシャルグラフェンの構造と電子物性 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○栗栖悠輔¹，田中悟¹，中辻寛²，小森文夫² (九大院工¹，東大物性研²)

[30a-G12-13] CVD法によるSiC(0001)上エピタキシャルSixOyCz層へのグラフェンナノリボン形成 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○萩原好人，梶原隆司，中森弓弦，アントンビシコフスキー，田中悟 (九大工院)

[30a-G12-14] LEED I-Vによるグラフェン成長過程の解析 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○林真吾，アントンビシコフスキー，梶原隆司，田中悟 (九大院工)

[30a-G12-15] SiCグラフェン上にCVDグラフェンを転写して作製した2層グラフェンの構造解析 (12:45 PM ～ 1:00 PM)

^○日比野浩樹¹，影島博之¹，河原憲治²，吾郷浩樹² (NTT物性基礎研¹，九大²)

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