^○（D）中山裕康¹，Matthias Althammer²，Yan-Ting Chen³，内田健一^1,4，梶原瑛祐¹，菊池大介^1,5，大谷隆史¹，Stephan Gepraegs²，Matthias Opel²，高橋三郎¹，Rudolf Gross^2,6，Gerrit Bauer^1,3，Sebastian Goennenwein²，齊藤英治^1,5,7,8 (東北大金研¹，ヴァルター・マイスナー研²，デルフト工科大³，JST-PRESTO⁴，東北大WPI⁵，ミュンヘン工科大⁶，JST-CREST⁷，原研先端研⁸)

[28a-A7-11] ▲スピン起電力による非局所スピンバルブ構造におけるスピン流変調 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○市村雅彦^1,4，家田淳一^2,4，高橋三郎^3,4，前川禎通^2,4 (日立中研¹，原研先端基礎²，東北大金研³，CREST-JST⁴)

一般セッション(口頭講演)

[28p-A7-1~8] 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

2013年3月28日(木) 13:00 〜 15:00 A7 (K1号館 3F-306)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[28p-A7-0] 昼食(60分)

[28p-A7-1] ▲強磁性合金薄膜における異常ネルンスト効果と異常ホール効果の相関 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○水口将輝^1,2，長谷川浩太¹，内田健一¹，齋藤英治¹，高梨弘毅¹ (東北大金研¹，JST-さきがけ²)

[28p-A7-2] △Spin Seebeck Thermoelectric Generators (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○（B）Adam Cahaya¹，Gerrit Bauer^1,2，Oleg Tretiakov¹ (東北大金研¹，デルフト工科大カヴリ研²)

[28p-A7-3] ▲Ta|CoFe|MgOにおける電流誘起実効磁場 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○（P）金俊延¹，Jaivardhan Sinha¹，林将光¹，山ノ内路彦^2,3，深見俊輔²，鈴木哲広⁴，三谷誠司¹，大野英男^2,3,5 (物質・材料研究機¹，東北大CSIS²，東北大通研³，ルネサスエレクトロニクス⁴，東北大WPI-AIMR⁵)

[28p-A7-4] Ta/CoFeB/MgO薄膜の磁化歳差ダイナミクスにおよぼす界面の影響 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○飯浜賢志¹，水上成美²，馬勤礼²，窪田崇秀²，永沼博¹，大兼幹彦¹，宮崎照宜²，安藤康夫¹ (東北大院工¹，東北大WPI²)

[28p-A7-5] △CoFeB-MgO垂直磁化容易磁気トンネル接合における反転閾値電流密度の素子サイズ依存性 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○水沼広太朗¹，山ノ内路彦^1,2，佐藤英夫²，池田正二^1,2，松倉文礼^3,1,2，大野英男^1,2,3 (東北大通研¹，東北大 CSIS²，東北大 WPI³)

[28p-A7-6] ▲CoFeB/MgO/CoFe/NiFe磁気トンネル接合素子のスピントルクダイオード測定 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○松本利映，久保田均，田丸慎吾，薬師寺啓，福島章雄，湯浅新治 (産総研)

[28p-A7-7] ▲Real time measurement of random magnetization switching in CoFeSiB free layer of a magnetic tunnel junction (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○梅山真理子¹，藤井裕也¹，三輪真嗣¹，久保田均²，松本利映²，薬師寺啓²，福島章雄²，湯浅新治²，水落憲和¹，新庄輝也¹，鈴木義茂¹ (阪大院基礎工¹，産総研ナノスピントロニクス研究センター²)

[28p-A7-8] スピントルクトランジスタ (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○（M1）千葉貴裕¹，Gerrit Bauer^1,2，高橋三郎¹ (東北大理金研¹，デルフト工大カブリナノ研²)

セッション一覧

10．スピントロニクス・マグネティクス » 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

[27p-PB2-1~5] 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

[27p-PB2-1] NiFe/MgO から InAs量子井戸構造におけるスピン注入の高効率化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

[27p-PB2-2] ▲NCMR素子における安定磁区形成によるスピントルク発振強度の向上 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

[27p-PB2-3] ▲Characterization of spin-torque oscillator with perpendicular magnetic anisotropy in the free layer under arbitrary bias field directions (1:30 PM ～ 3:30 PM)

[27p-PB2-4] ▲ナノサイズ面内構造素子におけるスピンポンピング効果の評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

[27p-PB2-5] ▲Determination of Penetration Depth of Transverse Spin Current in (001) Oriented Ferromagnetic Films by Spin Pumping. (1:30 PM ～ 3:30 PM)

[28a-A7-1~11] 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

[28a-A7-1] Siにおける室温磁気抵抗効果 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

[28a-A7-2] ▲Highly efficient spin injection into silicon using ferromagnetic tunnel contact with radical-oxidation-formed MgO barrier (9:15 AM ～ 9:30 AM)

[28a-A7-3] △p型Geへの室温スピン注入と逆スピンホール効果の観測 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

[28a-A7-4] Co₂FeAl_0.5Si_0.5/n-GaAs接合を有したスピン輸送デバイスにおける4端子非局所シグナルのCo₂FeAl_0.5Si_0.5成膜温度依存性 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

[28a-A7-5] ▼Annealing temperature dependence of spin signals observed in Co₂MnSi/CoFe/n-GaAs through four-terminal non-local geometry (10:00 AM ～ 10:15 AM)

[28a-A7-6] ▼3端子Hanle信号のバイアス電圧依存性 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

[28a-A7-6.1] 休憩(15分)

[28a-A7-7] ▼Spatial variation of satellite peaks in the Hanle curve induced by dynamic nuclear spin polarization in lateral all-semiconductor spin injection devices (10:45 AM ～ 11:00 AM)

[28a-A7-8] △Ni₈₀Fe₂₀膜における逆スピンホール効果による起電力の観測 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

[28a-A7-9] Pd/Fe₃Si 試料を用いたスピンポンピングにおける巨大信号の検出 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

[28a-A7-10] △スピンHall効果を介した磁気抵抗効果 (11:30 AM ～ 11:45 AM)