[27a-PB4-1~25] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[27a-PB4-2] IGZO薄膜を用いたトラップ準位の研究（2） (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○小坂修司¹，田尾博昭¹，森田晋也¹，日野綾¹，安野聡²，岸智弥¹，林和志¹，釘宮敏洋¹ (神戸製鋼所¹，コベルコ科研²)

キーワード：酸化物半導体、IGZO、DLTS