[27p-A3-1~17] 8.4 プラズマエッチング

[27p-A3-2] HBr/O₂/N₂プラズマにおけるプラズマパラメータとSiエッチング形状の相関 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○野尻康弘，飯野大輝，碇山理究，澤田雅人，鈴木啓之，山内健資 (東芝　生産技術センター)

キーワード：Siドライエッチング、半導体