[28a-G11-1~9] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28a-G11-6] GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○塩島謙次¹，木原雄平¹，青木俊周¹，金田直樹²，三島友義² (福井大院工¹，日立電線²)

キーワード：GaN、ショットキー接触、障壁高さ