[28a-G19-1~11] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28a-G19-4] △β-Ga₂O₃ (201)基板上のAl_2xGa_2-2xO₃薄膜の成長制御 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○向井章¹，大島孝仁¹，佐々木公平²，増井建和³，倉又朗人²，山腰茂伸²，大友明^1,4 (東工大院理工¹，タムラ製作所²，光波³，元素戦略⁴)

キーワード：酸化ガリウム、薄膜、結晶成長