[28a-G19-1~11] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28a-G19-5] 熱酸化によるβ-Ga₂O₃単結晶表面の半絶縁層形成 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○大島孝仁¹，神永健一¹，向井章¹，佐々木公平²，増井建和³，倉又朗人²，山腰茂伸²，藤田静雄⁴，大友明^1,5 (東工大¹，タムラ製作所²，光波³，京大⁴，TIES&MCES⁵)

キーワード：酸化ガリウム、gallium oxide、Ga2O3