[28a-G19-1~11] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28a-G19-9] VドープZnO薄膜の結晶構造に関する検討 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○松尾拓哉¹，奥田修平¹，千葉博²，森達哉²，鷲尾勝由^1,2 (東北大院工¹，東北大工²)

キーワード：ZnO、Vドープ