[28a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28a-G21-3] △Naフラックス法結合成長を用いた2インチGaNウエハの作製 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○今西正幸，染野辰也，村上航介，今林弘毅，高澤秀生，轟夕摩，松尾大輔，丸山美帆子，今出完，吉村政志，森勇介 (阪大院工)

キーワード：GaN、Naフラックス、結合成長