[28a-G6-1~11] 13.5 Siプロセス技術

[28a-G6-10] 300 mmシリコンウエハー上へのエピタキシャルリフトオフ法によるIII-V/Ge高移動度チャネル材料転写技術 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○（PC）三枝栄子¹，前田辰郎¹，宮田典幸¹，安田哲二¹，前田敦彦¹，倉島優一¹，高木秀樹¹，青木健志²，山本武継²，菊池俊之³，市川磨²，長田剛規²，秦雅彦²，小川有人³，国井泰夫³ (産総研¹，住友化学²，日立国際電気³)

キーワード：semiconductor、epitaxal lift-off、LSI manufacturing