[28a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28a-G9-10] Silicon-on-Thin-Buried Oxide(SOTB) CMOS SRAMの0.4V動作に対するVthばらつきの影響 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○篠原博文¹，山本芳樹¹，槇山秀樹¹，岩松俊明¹，尾田秀一¹，蒲原史朗¹，杉井信之¹，山口泰男¹，水谷朋子²，平本俊郎² (ＬＥＡＰ¹，東大生研²)

キーワード：SOTB、SRAM、0.4V動作