[28a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28a-G9-9] ▲SRAM安定性の製造後自己修復手法に向けたPFETのオフ状態ストレスにおけるVth シフトとばらつきのストレス条件依存性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○Nurul Ezaila Alias¹，Anil Kumar²，更屋拓哉³，宮野信治⁴，俊郎平本⁵ (University of Tokyo¹，University of Tokyo²，University of Tokyo³，Semiconductor Technology Academic Research Center⁴，University of Tokyo⁵)

キーワード：Variability、OFF-state stress