[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-15] Al₂O₃/n-Ga₂O₃ MOSダイオード (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○東脇正高^1,2，キルシナムルティ ダイワシガマニ¹，佐々木公平^1,3，倉又朗人³，増井建和⁴，山腰茂伸³ (情通機構¹，JSTさきがけ²，タムラ製作所³，光波⁴)

キーワード：Ga2O3、ダイオード、MOS