2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:45 G11 (B5号館 2F-2205)

[28p-G11-15] Al2O3/n-Ga2O3 MOSダイオード (5:45 PM ~ 6:00 PM)

東脇正高1,2,キルシナムルティ ダイワシガマニ1,佐々木公平1,3,倉又朗人3,増井建和4,山腰茂伸3 (情通機構1,JSTさきがけ2,タムラ製作所3,光波4)

キーワード:Ga2O3、ダイオード、MOS