[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-7] La₂O₃ゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaNデバイスの熱処理温度依存性 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○鹿国強¹，陳江寧¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

キーワード：La2O3