[28p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28p-G19-13] バイアス電圧印加PLD法と貼り合わせ法により形成したn-ZnO/p-ZnTeヘテロ接合特性 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○赤尾卓哉，小松和也，瀬野祐樹，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山隆 (秋田県立大システム科学技術)

キーワード：酸化亜鉛、ZnTe、貼り合わせ