[28p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28p-G19-2] H₂-O₂触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてホモエピタキシャル成長したZnO膜の特性 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○竹内智彦，永冨瑛智，山口直也，加藤孝弘，安井寛治 (長岡技科大工)

キーワード：触媒反応生成高エネルギーH₂O、ホモエピタキシャル成長