[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-10] △MBD法により作製したMetal/High-k/GeO₂/Geスタックの熱処理による構造変化 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○（M2）秀島伊織¹，田中亮平¹，箕浦佑也¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，細井卓治¹，志村孝功¹，渡部平司¹ (阪大院¹，日本原子力研究開発機構²)

キーワード：ゲルマニウム、MOS、Metal/High-k