[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-14] ▲原子層平坦GeO_x/Ge界面によるGe MOSFETsの高電界領域移動度の向上 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○（P）張睿，黄博勤，林汝静，竹中充，高木信一 (東大院工)

キーワード：germanium、mobility、interface roughness