[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-15] 絶縁膜を挿入したGe Schottky Diodeの抵抗の支配要因 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○中村俊允¹，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大工¹，JST-CREST²)

キーワード：Ge Schottky insulator 抵抗 絶縁膜挿入