[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-16] 極薄GeO_X界面層を有するY₂O₃/Ge ゲートスタックの低温形成 (6:30 PM ～ 6:45 PM)

^○永冨雄太¹，小島秀太¹，亀沢翔¹，山本圭介^2,3，王冬¹，中島寛² (九大総理工¹，九大・産学連携センター²，学振特別研究員³)

キーワード：Ge、Y₂O₃、Gatestacks